| Course Name | Year | Term | Period | Faculty / Graduate School | All Instructors | Credits |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 32791:[2025 Spring]Semiconductor Technology (A8) | 2025 | Spring | Fri4 | College of Science and Engineering | IMAI SHIGERU | 2 |
Campus
Class Venue
Language
Course Outline and Method
Student Attainment Objectives
・ｐｎ接合やＭＯＳ構造におけるキャリヤの振る舞いを理解すること
・バイポーラトランジスタやＭＯＳトランジスタの動作原理を理解すること
Recommended Preparatory Course
Course Schedule
| Lecture/Instructor（When there are multiple instructors) | Theme |
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| Keyword, References and Supplementary Information | |
| - | +R授業対象科目。第1回に+R授業を実施。詳細はmanaba+Rを参照。 |
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| 1 | 半導体のキャリヤと電気伝導 |
バンド理論、電子と正孔、フェルミ準位とキャリヤ密度、ドリフト電流と拡散電流、生成と再結合 |
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| 2 | ｐｎ接合と空乏層 |
階段接合と空間電荷層、空乏層幅、拡散電位 |
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| 3 | ｐｎ接合の整流特性 |
低水準注入、電流電圧特性、実際の特性 |
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| 4 | 金属－半導体接触と光半導体デバイス |
オーミック接触とショットキー接触、太陽電池、発光ダイオード |
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| 5 | まとめの解説(25分)と小テスト(70分) |
第１回から第４回までの確認 |
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| 6 | バイポーラトランジスタの増幅作用 |
ベース接地の場合、エミッタ接地の場合 |
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| 7 | バイポーラトランジスタの電流伝送率 |
注入効率、輸送効率、コレクタ効率 |
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| 8 | バイポーラ型パワーデバイス |
ショックレーダイオード、サイリスタ |
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| 9 | まとめの解説(25分)と小テスト(70分) |
第６回から第８回までの確認 |
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| 10 | ＭＯＳダイオード |
基本特性、しきい値電圧、最大空乏層幅、反転層、フラットバンド電圧 |
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| 11 | 電界効果トランジスタの特性 |
線形領域の特性、ピンチオフと飽和領域、ｎチャネル形とｐチャネル形 |
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| 12 | 電界効果トランジスタにおける諸効果 |
基板バイアス効果、チャネル長変調効果、突き抜け |
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| 13 | MOS型パワーデバイス |
パワーＭＯＳ、ＩＧＢＴ |
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| 14 | まとめの解説(25分)と小テスト(70分) |
第１０回から第１３回までの確認 |
Class Format
Recommendations for Private Study
Grade Evaluation Method
| Kind | Percentage | Grading Criteria etc. |
|---|---|---|
| Final Examination (Written) | 0 | |
| Report Examination (A report to be submitted by the unified deadline) |
0 | |
| Exams and/or Reports other than those stated above, and Continuous Assessment (Evaluation of Everyday Performance in Class) |
100 | 出席と小テスト（及び再試レポート）の結果により評価する。 |
Grade Evaluation Method （Note）
Advice to Students on Study and Research Methods
Textbooks
| Title | Author | Publisher | ISBN Code | Comment |
|---|---|---|---|---|
| 半導体デバイス | 古川静二郎 | コロナ社 | 978-4-339-00024-5 |
Textbooks （Frequency of Use, Note）
Reference Books
| Title | Author | Publisher | ISBN Code | Comment |
|---|---|---|---|---|
| 電子デバイスの基礎と応用 | 長谷川文夫、本田徹 | 産業図書 | 978-4-7828-5555-3 | 本書の前半が講義によく対応している。後半は電子応用デバイス。 |
| 半導体デバイス入門 | 柴田直 | 数理工学社 | 978-4-86481-018-0 | MOSとバイポーラを物理の基礎から理解することを目的に記載されている。 |
| 図説 電子デバイス （改訂版） | 菅博、川畑敬志、矢野満明、田中誠 | 産業図書 | 978-4-7828-9016-5 | 図が多くて平易に説明している。前半が講義に対応している。 |
| 半導体デバイス 第２版 －基礎理論とプロセス技術－ | Ｓ．Ｍ．ジィー | 産業図書 | 978-4-7828-5550-8 | 執筆者は半導体教科書の著者として有名。作製技術も解説している |
| 半導体デバイスの物理 | 岸野正剛 | 丸善 | 978-4-621-08264-5 | MOSデバイスを中心に記載されている。 |
| 基礎物理学選書９． 物性論－固体を中心とした－ （改訂版） | 黒沢達美 | 裳華房 | 978-4-7853-2138-3 | 物性のイメージがわかりやすく説明されている。 |
| 電子デバイス工学［第２版］ | 古川静二郎、荻田陽一郎、浅野種正 | 森北出版 | 978-4-627-70562-3 | 平易に説明している。第１４章でパワーデバイスについても記載している。 |
Reference Books （Frequency of Use, Note）
Web Pages for Reference
How to Communicate with the Instructor In and Out of Class(Including Instructor Contact Information)
Other Comments
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