| 授業科目名 | 年度 | 学期 | 開講曜日・時限 | 学部・研究科 | 全担当教員 | 単位数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 33294:[2025 通年]卒業研究(A8) | 2025 | 通年 | 理工学部 | 今井 茂 | 4 |
キャンパス
BKC/BKC
授業施設
BKC/BKC
授業で利用する言語
日本語
授業の概要と方法
卒業研究は、学部における学習の総まとめである。一定の目標を持った研究課題に対する自主的な探求の過程において、「研究とは」、「研究の進め方」、「困難とその克服」、「目標への到達」などを修得することが最大の目的である。卒業研究を通して、研究目的、調査、計画、設計、実験、検討の各段階を体験し、社会や大学院へつながる礎とされたい。
本研究室の主要なテーマは、理論的解析による単電子素子または単電子回路の動作の解明である。
本研究室の主要なテーマは、理論的解析による単電子素子または単電子回路の動作の解明である。
受講生の到達目標
卒業研究のテーマの探求を通じて、１．電子デバイスへの理解を深めること、２．思考力を生かして課題を遂行する能力や発表能力を身につけることを目標とする。
事前に履修しておくことが望まれる科目
電磁気学Ⅰ、電気回路Ⅰ、固体物性Ⅰ、固体物性Ⅱ、半導体工学
授業スケジュール
| 授業回数/ 担当教員（複数担当の場合） |
テーマ |
|---|---|
| キーワード・文献・補足事項等 | |
毎週１回
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研究上の事務連絡・各週の研究の進捗状況の報告と検討を行う。 |
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毎週１回
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毎週１回
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文献を用いて単電子デバイスについての専門的知識を習得する。 |
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毎週１回
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研究で生じた問題点や今後の方針について個別に議論する。 |
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通年
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各自が研究課題を持って研究活動を行う。 |
授業実施形態
原則として対面で上記の会合やゼミを行う。
授業外学習の指示
最初に演習課題を与えるので、それに取り組むこと。
演習課題を終了した者から研究課題を割り振り、研究を開始する。
演習課題を終了した者から研究課題を割り振り、研究を開始する。
成績評価方法
| 種別 | 割合(%) | 評価基準等 |
|---|---|---|
| 定期試験（筆記） | 0 | |
| レポート試験 （統一締切日を締切とするレポート） |
0 | |
| 上記以外の試験・レポート、平常点評価 （日常的な授業における取組状況の評価） |
100 | 卒業研究への取り組み方、卒業論文の内容、および、発表の仕方とその内容に応じて、担当教員が評価を行う。
|
成績評価方法(備考)
担当教員による指導の下で卒業研究をおこない、研究成果を発表する。研究成果をまとめた卒業論文は、担当教員に提出する。
評価は、報告会等の参加状況、報告や発表の内容、研究ノート、卒業論文により実施する。
評価項目は調査能力、計画能力、実行力、表現能力、学習態度等である。
合格の要件は以下の２つである。
①報告会、発表会、ゼミ等への参加状況が良好であり、研究に真摯に取り組んでいること
②卒業論文を提出し、卒業論文発表会において発表すること
評価は、報告会等の参加状況、報告や発表の内容、研究ノート、卒業論文により実施する。
評価項目は調査能力、計画能力、実行力、表現能力、学習態度等である。
合格の要件は以下の２つである。
①報告会、発表会、ゼミ等への参加状況が良好であり、研究に真摯に取り組んでいること
②卒業論文を提出し、卒業論文発表会において発表すること
受講および研究に関するアドバイス
教科書
教科書(使用頻度、その他補足)
参考書
| 書名 | 著者 | 出版社 | ISBNコード | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 集積ナノデバイス | 平本俊郎、内田建、杉井信之、竹内潔 | 丸善 | 978-4-621-08208-9 | 集積トランジスタの最新の状況 |
| Physics of Semiconductor Devices Third Edition | S.M.Sze and Kwok K. Ng | Wiley-Interscience | 0-471-14323-5 | 電子デバイスに関する一般的な参考書 |
| Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures (NATO Science Series: B:) | Hermann Grabert and Michel H. Devoret (Ed.) | Springer | 978-0306442292 | 単電子素子の基礎的原理 |
| Single-Electron Devices and Circuits in Silicon | Zahid Ali Khan Durrani | Imperial College Press | 978-1-84816-413-0 | 単電子デバイスの解説書 |
| 量子効果半導体 | 佐々木昭夫 | コロナ社 | 978-4-88552-168-3 | 新原理に基づく各種極微細デバイス |
| Computational Single-Electronics | Christoph Wasshuber | Springer | 978-3-211-83558-6 | 単電子デバイスの解説書 |
| Nanoelectronics and Information Technology | Rainer Waser (Ed.) | Wiley-VCH | 978-3-527-40927-3 | |
| ナノエレクトロニクス | 榊裕之・横山直樹 | オーム社 | 978-4-274-19719-2 | |
| Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design | Jaap Hoekstra | Pan Standard Publishing | 978-981-4241-93-9 |
参考書(使用頻度、その他補足)
英語ゼミ、日本語ゼミで使用しているテキストを掲げる。日本語ゼミでは研究の背景や基礎的知識を扱い、英語ゼミではより専門的な内容を扱う予定である。
参考になるwwwページ
授業内外における学生・教員間のコミュニケーションの方法
manaba+R,学生との直接対話,その他(教員より別途指示）
備考
【科目ナンバリング・カリキュラムマップはこちらから/Click here to see the Curriculum-Map and Course-Numbering】
URL:https://secure.ritsumei.ac.jp/students/pathways-future/course/curriculum.html/
URL:https://secure.ritsumei.ac.jp/students/pathways-future/course/curriculum.html/